RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
64
Por volta de -178% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
3086
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link