RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2725
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link