RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
50
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
36
Velocità di lettura, GB/s
15.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
2725
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link