RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
50
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
3122
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link