RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3122
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link