RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3340
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link