RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3340
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link