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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
50
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2534
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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