RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
50
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
49
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2534
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link