Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Unterschiede

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 50
    Rund um -52% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.5 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 17.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 15.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2512 left arrow 3482
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche