RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
50
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3482
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link