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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2858
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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