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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
3.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
1204
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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