Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 38

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.6 7.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.7 3.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

38 29
Скорость чтения, Гб/сек

7.2 9.6
Скорость записи, Гб/сек

3.0 6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

915 1204

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

Kingston 9905734-062.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

модули RAM