RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2767
3321
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link