RAM-Vergleich Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Gesamtnote

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 41

Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.7 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 17000

Rund um 1.25% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2767 1512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns