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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2660
2973
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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