Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Unterschiede

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 54
    Rund um 15% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 15.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 54
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 11.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2660 left arrow 2511
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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