RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
54
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2511
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link