RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
66
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1699
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link