RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2907
3084
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link