RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2907
3084
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link