RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link