RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link