RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
62
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link