Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Gesamtnote
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterschiede

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 30
    Rund um 20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2196 left arrow 1254
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche