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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

総合得点
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 30
    周辺 20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB 考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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