RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965640-008.A01G 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 37
    周辺 32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 7.4
    テスト平均値
Kingston 9965640-008.A01G 32GB 考慮すべき理由
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 8.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2031

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
メモリRAM