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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 10
    テスト平均値
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB 考慮すべき理由
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 62
    周辺 -19% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2169

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