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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
16.1
18.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3205
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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