Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Gesamtnote
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Unterschiede

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    14 left arrow 24
    Rund um -71% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    26.4 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    19.8 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 14
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 26.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 19.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2196 left arrow 4362
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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