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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比較する
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
14
24
周辺 -71% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
26.4
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.8
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
14
読み出し速度、GB/s
14.9
26.4
書き込み速度、GB/秒
10.6
19.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2196
4362
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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