RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
79
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2264
1710
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link