RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
79
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2264
1710
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link