RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3931
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link