RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3931
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link