RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
4052
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link