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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
15.5
22.0
写入速度,GB/s
12.0
19.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
4052
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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