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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
22.0
写入速度,GB/s
2,404.5
19.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
4052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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