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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
104
En -285% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
4052
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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