RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2553
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link