RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2553
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link