RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2519
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link