RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link