RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link