RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3595
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link