RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2973
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link