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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2973
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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