RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2499
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link