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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2499
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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