RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2971
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link