RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2971
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link